太陽能行業(yè)晶體生長用DIAS紅外測溫儀
規(guī)格：DG42N , DS42N 等
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太陽能行業(yè)晶體生長用DIAS紅外測溫儀 ,
產(chǎn)品詳細(xì)描述
要生產(chǎn)晶圓，例如要生產(chǎn)太陽能晶圓產(chǎn)品，晶體需要從所謂的晶體生長爐(單晶爐、多晶爐)內(nèi)的熔液拉出。
從熔液形成的晶體生長由晶體化的熔液慢慢冷卻形成的。因此，測量熔液的溫度很重要，同樣，測量加熱元件的溫度以準(zhǔn)確控制過程也很重要。這二個(gè)溫度需要協(xié)調(diào)好，以確保晶體生長的優(yōu)化。
德國DIAS紅外測溫10系列、40系列、42系列、44系列適合這些晶體生長的測溫。主要可用的型號(hào)有DS40N、DS44N、DG42N、DS42N，測溫范圍為350~2500°C，均為短波紅外測溫儀。根據(jù)晶體生長系統(tǒng)的型號(hào)，也可以使用DSR10N、DSR44N雙色紅外測溫儀。44系列、10系列還可以兼容總線系統(tǒng)，易于集成到現(xiàn)有控制系統(tǒng)中去。
在空間比較狹小的地方，推薦使用光纖紅外測溫儀。比如可以使用DSF40N及DSF44N系列，測溫范圍600 ~ 1800 °C ，最小探頭光圈僅僅12 mm。此外，還可以選擇直角鏡或彎曲的光纖電纜。測量光斑僅僅幾個(gè)毫米直徑。從而，對這些溫度測量任務(wù)，選擇最優(yōu)的紅外測溫儀光學(xué)系數(shù)，可以觀測和控制這些晶體生長過程。
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